收藏本站
Si7465DP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
0.12
0.10
1800
1500
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
1200
900
600
300
0
C rss
C oss
C iss
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
60
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.2
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
16
V DS = 30 V
I D = 5 A
2.0
1.8
V GS = 10 V
I D = 5 A
1.6
12
1.4
1.2
8
1.0
4
0
0.8
0.6
0.4
0
10
20
30
40
50
- 50
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
40
Qg - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.30
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.25
T J = 150 °C
10
1
T J = 25 °C
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
I D = 5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
S13-2263-Rev. D, 04-Nov-13
3
Document Number: 73113
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7530DP-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOIC
SI7620DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8
SI7625DN-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI7629DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK
SI7634BDP-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7636DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7655DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V D-S PPAK 1212
SI7658ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK 8SOIC
相关代理商/技术参数
SI7465DP-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -60V, 5A, SOIC
SI7469DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI7469DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7469DP-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P CHANNEL MOSFET -80V 28A SOIC
SI7469DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 80V 28A 83W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7476DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7476DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 25A 5.4W 5.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7476DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 25A 5.4W 5.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube